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TI,功率MOSFET

智能過濾器(符合過濾條件的產品共11個)
FET數漏源電壓(V)持續漏極電流最大值(A)靜態漏源直流電阻典型值(mΩ)通道極性封裝/溫度(℃)
共查詢到 11 條數據.
產品圖片產品型號廠商描述資料庫存數價格(含13%增值稅)購買數量RoHSFET數漏源電壓(V)持續漏極電流最大值(A)靜態漏源直流電阻典型值(mΩ)通道極性封裝/溫度(℃)
TPS1100D
(95折)
Texas Instruments 單路P溝道增強方式MOSFET 暫無
1+CNY 10.80 10.26
25+CNY 9.20 8.74
50+CNY 8.60 8.17
100+CNY 8.10 7.70
250+CNY 7.83 7.44
500+CNY 7.56 7.19
1000+CNY 7.02 6.67


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1 -15 -1.6 180 P溝道 SOIC-8/-40~85
TPS1100DR
(95折)
Texas Instruments 單路P溝道增強方式MOSFET 暫無
1+CNY 9.00 8.55
25+CNY 7.70 7.32
50+CNY 7.20 6.84
100+CNY 6.75 6.42
250+CNY 6.53 6.21
500+CNY 6.30 5.99
1000+CNY 5.85 5.56


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1 -15 -1.6 180 P溝道 SOIC-8/-40~85
TPS1120D
(95折)
Texas Instruments 雙路P溝道增強方式MOSFET 暫無
1+CNY 15.00 14.25
25+CNY 12.80 12.16
50+CNY 12.00 11.40
100+CNY 11.25 10.69
250+CNY 10.88 10.34
500+CNY 10.50 9.98
1000+CNY 9.75 9.27


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2 -15 -1.7 180 P溝道 SOIC-8/-40~85
TPS1120DR
(95折)
Texas Instruments 雙路P溝道增強方式MOSFET 暫無
1+CNY 12.40 11.78
25+CNY 10.50 9.98
50+CNY 9.90 9.41
100+CNY 9.30 8.84
250+CNY 8.99 8.55
500+CNY 8.68 8.25
1000+CNY 8.06 7.66


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2 -15 -1.7 180 P溝道 SOIC-8/-40~85
TPS1101D
(95折)
Texas Instruments 單路P溝道增強方式MOSFET 暫無
1+CNY 16.00 15.20
25+CNY 13.60 12.92
50+CNY 12.80 12.16
100+CNY 12.00 11.40
250+CNY 11.60 11.02
500+CNY 11.20 10.64
1000+CNY 10.40 9.88


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1 -15 -2.3 90 P溝道 SOIC-8/-40~125
CSD16321Q5 Texas Instruments 25V,100A,N溝道NexFET?功率MOSFET 暫無 暫無

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1 25 100 2.8 N溝道 VSON-8/-55~150
CSD17301Q5A Texas Instruments 30V,28A,N溝道功率MOSFET 暫無 暫無

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1 30 28 2.9 N溝道 VSONP-8/-55~150
CSD86330Q3D Texas Instruments 同步降壓NexFET?電源塊MOSFET對 暫無 暫無

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2 25/25 - 8.8/3.3 N溝道 LSON-CLIP-8/-55~150
CSD17307Q5A Texas Instruments 30V,73A,N溝道NexFET?功率MOSFET 暫無 暫無

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1 30 73 9.7 N溝道 VSONP-8/-55~150
CSD17553Q5A Texas Instruments 30V,23.5A,N溝道功率MOSFET 暫無 暫無

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1 30 23.5 3.5 N溝道 VSONP-8/-55~150
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